1、請(qǐng)根據(jù)會(huì)員注冊(cè)表的要求,提供關(guān)于您或貴公司的真實(shí)、準(zhǔn)確、完整和反映當(dāng)前情況的材料;倘若您提供任何不真實(shí)、不準(zhǔn)確、不完整或不能反映當(dāng)前情況的資料,同惠電子企業(yè)官網(wǎng)將有權(quán)暫?;蚪K止您的注冊(cè)身份及資料,并拒絕您在當(dāng)前或?qū)韺?duì)其它形式服務(wù)的使用。
2、如果您的資料有變更,請(qǐng)及時(shí)登錄本站進(jìn)行修改,以便有業(yè)務(wù)洽談合作時(shí)我們能及時(shí)聯(lián)系到您。
3、注冊(cè)成功并登錄后,可獲得本網(wǎng)站提供的產(chǎn)品相關(guān)資料下載服務(wù)。
4、本網(wǎng)站有權(quán)根據(jù)自身需要修改、增添和刪除本協(xié)議內(nèi)容的任何部分。如用戶不同意有關(guān)變更,可自行停止使用本網(wǎng)站的服務(wù)項(xiàng)目,用戶如果繼續(xù)使用則表示接受已修訂的條款
提示
下載寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。在高頻情況下,不管是電阻,電容,電感,還是二極管,三極管,MOS管所產(chǎn)生的等效電容會(huì)增大,不能忽略。MOS管寄生電容是動(dòng)態(tài)參數(shù),直接影響到其開關(guān)性能,Ciss輸入電容、Coss輸出電容、Crss反向傳輸電容、Rg柵極串聯(lián)等效電阻是功率半導(dǎo)體重要的寄生參數(shù),在研發(fā)和制造過程中都需要進(jìn)行測(cè)量。
測(cè)試要求:
Ciss輸入電容 :將漏源短接,用交流信號(hào)測(cè)得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容
Coss輸出電容:將柵源短接,用交流信號(hào)測(cè)得的漏極和源極之間的電容就是輸出電容
Crss反向傳輸電容:在源極接地的情況下,測(cè)得的漏極和柵極之間的電容為反向傳輸電容
Rg :測(cè)試柵極與源極之間的串聯(lián)等效電阻
目前市場(chǎng)上比較常見的半導(dǎo)體CV特性測(cè)試方案,需要至少一臺(tái)電橋、一臺(tái)電源、一個(gè)直流偏置夾具、一套矩陣開關(guān)和一臺(tái)上位機(jī)以及相關(guān)控制軟件組成,搭建和調(diào)試過程非常繁瑣,且測(cè)試效果不穩(wěn)定。
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是同惠電子針對(duì)半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)與研發(fā)的分析儀器,采用了一體化的設(shè)計(jì),四檔參數(shù)同時(shí)顯示,只需一臺(tái)儀器即可滿足生產(chǎn)線快速分選、自動(dòng)化集成測(cè)試及滿足實(shí)驗(yàn)室研發(fā)及分析。TH510系列內(nèi)置1500V高壓源,測(cè)試精度高;可擴(kuò)展至6通道,對(duì)于IGBT行業(yè)的模塊化測(cè)試需求來說非常重要。


2025-06-26 10:49:04

2025-03-19 15:37:02

2025-03-19 15:38:22

2024-07-30 14:52:21

2024-07-30 10:12:05