1、請(qǐng)根據(jù)會(huì)員注冊(cè)表的要求,提供關(guān)于您或貴公司的真實(shí)、準(zhǔn)確、完整和反映當(dāng)前情況的材料;倘若您提供任何不真實(shí)、不準(zhǔn)確、不完整或不能反映當(dāng)前情況的資料,同惠電子企業(yè)官網(wǎng)將有權(quán)暫停或終止您的注冊(cè)身份及資料,并拒絕您在當(dāng)前或?qū)?lái)對(duì)其它形式服務(wù)的使用。
2、如果您的資料有變更,請(qǐng)及時(shí)登錄本站進(jìn)行修改,以便有業(yè)務(wù)洽談合作時(shí)我們能及時(shí)聯(lián)系到您。
3、注冊(cè)成功并登錄后,可獲得本網(wǎng)站提供的產(chǎn)品相關(guān)資料下載服務(wù)。
4、本網(wǎng)站有權(quán)根據(jù)自身需要修改、增添和刪除本協(xié)議內(nèi)容的任何部分。如用戶不同意有關(guān)變更,可自行停止使用本網(wǎng)站的服務(wù)項(xiàng)目,用戶如果繼續(xù)使用則表示接受已修訂的條款
提示
下載隨著新能源汽車、新能源及工業(yè)電力電子的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件正朝著高功率密度、高開(kāi)關(guān)頻率及高可靠性方向演進(jìn)。IGBT、MOSFET 以及第三代半導(dǎo)體器件 SiC、GaN 在應(yīng)用過(guò)程中,對(duì)器件電性能參數(shù)、可靠性及一致性提出了更高的測(cè)試要求。
公司面向功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)驗(yàn)證與量產(chǎn)測(cè)試需求,提供專業(yè)、系統(tǒng)化的測(cè)試解決方案。測(cè)試內(nèi)容涵蓋器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(導(dǎo)通電阻、閾值電壓、漏電流等)、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試(開(kāi)關(guān)特性、損耗、恢復(fù)特性等)、以及功耗與效率評(píng)估,適用于 IGBT、MOSFET、SiC、GaN 等多種功率器件的性能測(cè)試與分析。
智能客服,自動(dòng)報(bào)修系統(tǒng)
全天候服務(wù)風(fēng)雨無(wú)阻(覆蓋全國(guó)的配送網(wǎng)絡(luò)、時(shí)刻保障日間正常運(yùn)作、經(jīng)驗(yàn)豐富的維修工程師
及時(shí)處理故障、及時(shí)聽(tīng)取客戶意見(jiàn))
