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近日，第十屆全國大學生集成電路創新大賽（簡稱"集創賽"）啟動儀式在江蘇無錫順利舉行。作為教育部官方認證的頂級學科競賽，集創賽由工業和信息化部人才交流中心直接主辦，其賽事規模覆蓋全國所有省份及港澳臺地區，400+高校，每年吸引超萬名學子同臺競技，已成為衡量高校電子信息技術創新能力的黃金標桿。
同惠電子作為本屆比賽出題企業，受邀參加啟動儀式。我們懷著誠摯之心，面向全國高等院校中半導體物理、器件物理、集成電路設計、微電子科學與工程等相關專業的師生發出邀約，誠邀大家參加本次賽事。
一、賽題背景
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為現代集成電路的核心基礎器件，是支撐微電子產業從微米級到納米級技術迭代的核心載體，其電學特性尤其是電容-電壓（CV）特性，直接決定了芯片的開關速度、功耗、可靠性等關鍵性能指標。據行業統計，全球每年基于MOSFET架構的半導體器件出貨量超萬億顆，廣泛應用于消費電子、新能源、工業控制、航天航空等關鍵領域，是半導體物理、器件物理、集成電路設計等學科理論體系的經典研究對象。
本年度“同惠電子企業命題”以“半導體MOSFET器件CV特性分析”為核心賽題方向，引導參賽選手將半導體器件物理、集成電路工藝、測量測試技術等專業知識融會貫通。在深度剖析MOSFET器件CV特性的物理機制、測試原理與分析方法的過程中，強化理論認知與工程實踐的結合，錘煉精密測量、數據分析、問題溯源的核心能力，為投身半導體器件研發、測試與產業化應用筑牢堅實的理論與實踐根基。
二、賽題解析
主辦方向參賽者統一提供MOSFET封裝器件、TH1992雙通道源表與數字電橋。
A)參賽者在固定頻率，漏源電壓變化的情況下分別測量Ciss、Coss、Crss，并在上位機軟件中繪制Ciss-Vds，Coss-Vds，Crss-Vds曲線。評委根據測量結果與器件Datasheet的一致性評分。
B)參賽者在1MHz的頻率和固定的漏源電壓的條件下測量Crss。由于測量回路中存在等效串聯電感，Crss測量結果或為負數。參賽者需要分析造成測量不準確的機理，設計補償算法。大賽評委根據參賽者的原理分析報告與補償校正后的Crss測量準確度評審獲獎名單。
三、全周期護航
1、大賽官網 univ.ciciec.com
2、大賽公眾號
全國大學生集成電路創新創業大賽
大賽官網和公眾號將作為大賽官方新聞、通知發布渠道，請參賽團隊在參賽期間保持關注。
3、大賽報名網址
https://www.saikr.com/vse/univ/ciciec/10
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